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SQM40020EL_GE3

SQM40020EL_GE3 Vishay / Siliconix

sqm40020el.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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Technische Details SQM40020EL_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00178ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 VISHAY 2838127.pdf Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
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SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 VISHAY 2838127.pdf Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
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Hersteller: VISHAY
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