SQM40022E_GE3 Vishay
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| Anzahl | Preis |
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| 206+ | 0.7 EUR |
| 209+ | 0.67 EUR |
| 213+ | 0.63 EUR |
| 216+ | 0.6 EUR |
| 220+ | 0.56 EUR |
| 250+ | 0.53 EUR |
| 500+ | 0.5 EUR |
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Technische Details SQM40022E_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SQM40022E_GE3 nach Preis ab 0.5 EUR bis 2.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||
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SQM40022E_GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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SQM40022E_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 40V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
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SQM40022E_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm SVHC: To Be Advised |
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SQM40022E_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40022E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 1630 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1630µohm SVHC: To Be Advised |
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SQM40022E_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 150A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM40022E_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM40022E_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 150A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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