SQM40041EL_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 157W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 157W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00283ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQM40041EL_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 157W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 157W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00283ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm.
Weitere Produktangebote SQM40041EL_GE3 nach Preis ab 2.28 EUR bis 8.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQM40041EL_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2345 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
 |
SQM40041EL_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs Pch -40V Vds 20V Vgs TO-263 |
auf Bestellung 7643 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
|
SQM40041EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 157W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm |
auf Bestellung 329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SQM40041EL_GE3 |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2345 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 5.89 EUR |
| 43+ | 4.03 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.69 EUR |
| 800+ | 2.28 EUR |
| SQM40041EL_GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs Pch -40V Vds 20V Vgs TO-263
MOSFETs Pch -40V Vds 20V Vgs TO-263
auf Bestellung 7643 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.85 EUR |
| 10+ | 4.49 EUR |
| 100+ | 3.8 EUR |
| 800+ | 3.77 EUR |
| 4800+ | 3.03 EUR |
| SQM40041EL_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 157W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
Description: VISHAY - SQM40041EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 120 A, 2830 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 157W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2830µohm
auf Bestellung 329 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 31+ | 8.2 EUR |
| 47+ | 4.99 EUR |
| 100+ | 3.38 EUR |