Produkte > VISHAY > SQM40N15-38_GE3

SQM40N15-38_GE3 VISHAY


VISH-S-A0001222472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.75 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SQM40N15-38_GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 150V 40A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 166W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3390 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQM40N15-38_GE3 nach Preis ab 2.64 EUR bis 7.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 Vishay / Siliconix sqm40n15-38.pdf MOSFET 150V 40A 166W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 1579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.3 EUR
10+4.46 EUR
25+4.21 EUR
100+3.61 EUR
250+3.42 EUR
500+3.01 EUR
800+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM40N15-38_GE3 SQM40N15-38_GE3 VISHAY VISH-S-A0001222472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+7.27 EUR
47+5.03 EUR
100+3.75 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM40N15-38_GE3 sqm40n15-38.pdf
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 150V 40A 166W AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 1579 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.3 EUR
10+4.46 EUR
25+4.21 EUR
100+3.61 EUR
250+3.42 EUR
500+3.01 EUR
800+2.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SQM40N15-38_GE3 VISH-S-A0001222472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N15-38_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 40 A, 0.027 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+7.27 EUR
47+5.03 EUR
100+3.75 EUR
500+3.34 EUR
1000+3.27 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH