SQM50034E_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 3.87 EUR |
| 10+ | 3.21 EUR |
| 100+ | 2.55 EUR |
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Technische Details SQM50034E_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Weitere Produktangebote SQM50034E_GE3 nach Preis ab 1.69 EUR bis 3.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SQM50034E_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs Nch 60V Vds 20V Vgs TO-263 |
auf Bestellung 769 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQM50034E_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM50034E_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
auf Bestellung 539 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQM50034E_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM50034E_GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SQM50034E_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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