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SQM90142E_GE3

SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix

sqm90142e.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.49 EUR
1600+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Technische Details SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQM90142E_GE3 nach Preis ab 2.45 EUR bis 8.04 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 VISHAY VISH-S-A0024174227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 95 A, 0.0127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.47 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix sqm90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.95 EUR
10+4.56 EUR
100+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Vishay Semiconductors sqm90142e.pdf MOSFETs 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 23102 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.03 EUR
10+4.63 EUR
100+3.25 EUR
500+3.14 EUR
800+2.45 EUR
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SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 VISHAY VISH-S-A0024174227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 95 A, 0.0127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
32+8.04 EUR
47+4.94 EUR
100+3.47 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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SQM90142E_GE3 VISH-S-A0024174227-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQM90142E_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 95 A, 0.0127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3816 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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SQM90142E_GE3 sqm90142e.pdf
SQM90142E_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3179 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.95 EUR
10+4.56 EUR
100+3.2 EUR
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MOSFETs 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified
auf Bestellung 23102 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+7.03 EUR
10+4.63 EUR
100+3.25 EUR
500+3.14 EUR
800+2.45 EUR
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SQM90142E_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQM90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 95 A, 0.0127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
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Dauer-Drainstrom Id: 95A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3816 Stücke:
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32+8.04 EUR
47+4.94 EUR
100+3.47 EUR
500+2.87 EUR
1000+2.84 EUR
Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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