SQRS144ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11823 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 1.68 EUR |
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Technische Details SQRS144ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 372A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 202W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm.
Weitere Produktangebote SQRS144ELP-T1_GE3 nach Preis ab 2.03 EUR bis 6.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQRS144ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 372A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 202W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQRS144ELP-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 202W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11823 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQRS144ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 372A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 202W SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm |
auf Bestellung 3050 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQRS144ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 202W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 202W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| 1000+ | 2.11 EUR |
| SQRS144ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11823 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 372A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 221 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11823 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.62 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 50+ | 2.78 EUR |
| 100+ | 2.51 EUR |
| 500+ | 2.03 EUR |
| SQRS144ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Verlustleistung: 202W
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
auf Bestellung 3050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 37+ | 6.93 EUR |
| 71+ | 3.27 EUR |
| 100+ | 2.68 EUR |
| 500+ | 2.17 EUR |
| 1000+ | 2.11 EUR |