SQRS144ELP-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 372A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.84 EUR |
| 500+ | 2.38 EUR |
| 1000+ | 2.05 EUR |
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Technische Details SQRS144ELP-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 372A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQRS144ELP-T1_GE3 nach Preis ab 2.05 EUR bis 7.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQRS144ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 372A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 202W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQRS144ELP-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQRS144ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 372 A, 800 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 36+ | 7.02 EUR |
| 55+ | 4.22 EUR |
| 100+ | 2.84 EUR |
| 500+ | 2.38 EUR |
| 1000+ | 2.05 EUR |