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SQRS152ELP-T1_GE3

SQRS152ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqrs152elp.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8SW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details SQRS152ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote SQRS152ELP-T1_GE3 nach Preis ab 0.86 EUR bis 3.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQRS152ELP-T1_GE3 SQRS152ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqrs152elp.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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SQRS152ELP-T1_GE3 SQRS152ELP-T1_GE3 VISHAY sqrs152elp.pdf Description: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 30 Stücke:
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SQRS152ELP-T1_GE3 SQRS152ELP-T1_GE3 VISHAY sqrs152elp.pdf Description: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SQRS152ELP-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
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Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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