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SQRS152ELP-T1_GE3

SQRS152ELP-T1_GE3 VISHAY

3973109.pdf
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 5000 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2949 Stücke:
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Technische Details SQRS152ELP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 5000 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 58A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 35W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm.

Weitere Produktangebote SQRS152ELP-T1_GE3 nach Preis ab 0.88 EUR bis 5.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQRS152ELP-T1_GE3 SQRS152ELP-T1_GE3 Vishay Siliconix sqrs152elp.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8SW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 2642 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.36 EUR
10+2.12 EUR
100+1.42 EUR
500+1.12 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SQRS152ELP-T1_GE3 SQRS152ELP-T1_GE3 Vishay / Siliconix sqrs152elp.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.77 EUR
10+2.49 EUR
100+1.59 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.26 EUR
3000+0.9 EUR
9000+0.88 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.27 EUR
72+3.22 EUR
114+1.89 EUR
500+1.71 EUR
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Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8SW
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
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AnzahlPrivatkunde
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10+2.49 EUR
100+1.59 EUR
500+1.45 EUR
1000+1.26 EUR
3000+0.9 EUR
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Description: VISHAY - SQRS152ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 58 A, 5000 µohm, PowerPAK SO-8SW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8SW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
auf Bestellung 2949 Stücke:
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