SQS121ELNW-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 3.22 EUR |
| 123+ | 1.9 EUR |
| 184+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |
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Technische Details SQS121ELNW-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 114A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQS121ELNW-T1_GE3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQS121ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 114A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 2939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQS121ELNW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQS121ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 114 A, 5000 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.22 EUR |
| 123+ | 1.9 EUR |
| 184+ | 1.17 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.83 EUR |