SQS124ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.39 EUR |
| 10+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 1 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| 3000+ | 0.65 EUR |
| 6000+ | 0.58 EUR |
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Technische Details SQS124ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 79W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2945 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote SQS124ELNW-T1_GE3 nach Preis ab 0.83 EUR bis 2.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SQS124ELNW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA |
auf Bestellung 2410 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| SQS124ELNW-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
Description: MOSFET N-CH 30V 100A TO252AA
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.56 EUR |
| 14+ | 1.61 EUR |
| 50+ | 1.2 EUR |
| 100+ | 1.06 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |