SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4051 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.53mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 153A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 2.53 EUR |
| 11+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.85 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
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Technische Details SQS140ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 153A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 119W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00253ohm.
Weitere Produktangebote SQS140ELNW-T1_GE3 nach Preis ab 0.67 EUR bis 2.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SQS140ELNW-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 2956 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQS140ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 153A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 119W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00253ohm |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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SQS140ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SQS140ELNW-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 2956 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.57 EUR |
| 10+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.08 EUR |
| 500+ | 0.89 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 3000+ | 0.68 EUR |
| 6000+ | 0.67 EUR |
| SQS140ELNW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 153A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00253ohm
Description: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00253ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| SQS140ELNW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS140ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 153 A, 0.00253 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH