SQS140ENW-T1_GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 197W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.51 EUR |
| 138+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQS140ENW-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 197W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 197W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm.
Weitere Produktangebote SQS140ENW-T1_GE3 nach Preis ab 0.96 EUR bis 4.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQS140ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SQS140ENW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 6062 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SQS140ENW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 197W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm |
auf Bestellung 3884 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SQS140ENW-T1_GE3 |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
auf Bestellung 40 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.67 EUR |
| 10+ | 2.38 EUR |
| SQS140ENW-T1_GE3 |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 6062 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.14 EUR |
| 10+ | 2.14 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.24 EUR |
| 1000+ | 1.13 EUR |
| 3000+ | 1 EUR |
| 6000+ | 0.96 EUR |
| SQS140ENW-T1_GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm
Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 214A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 197W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm
auf Bestellung 3884 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 4.22 EUR |
| 93+ | 2.51 EUR |
| 138+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.13 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |