SQS140ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details SQS140ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 214A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 197W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 197W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQS140ENW-T1_GE3 nach Preis ab 0.81 EUR bis 2.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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SQS140ENW-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 6062 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQS140ENW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQS140ENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 214 A, 2530 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 214A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 197W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 197W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0021ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2530µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQS140ENW-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) |
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