auf Bestellung 10305 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl | Preis ohne MwSt |
---|---|
22+ | 2.39 EUR |
27+ | 1.96 EUR |
100+ | 1.53 EUR |
500+ | 1.47 EUR |
3000+ | 1.25 EUR |
6000+ | 1.22 EUR |
9000+ | 1.2 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQS141ELNW-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 101A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 192W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).
Weitere Produktangebote SQS141ELNW-T1_GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
---|---|---|---|---|---|
SQS141ELNW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 3810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
SQS141ELNW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SQS141ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0074 ohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 192W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) |
auf Bestellung 3810 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||
SQS141ELNW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -79A; Idm: -227A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -79A Pulsed drain current: -227A Power dissipation: 119W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 141nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
SQS141ELNW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -79A; Idm: -227A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -79A Pulsed drain current: -227A Power dissipation: 119W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Gate charge: 141nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |