SQS142ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: PowerPAK® 1212-8SLW
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2442 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8SLW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
FET Type: N-Channel
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.37 EUR |
| 16+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.86 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
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Technische Details SQS142ELNW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 70W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.
Weitere Produktangebote SQS142ELNW-T1_GE3 nach Preis ab 0.69 EUR bis 3.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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SQS142ELNW-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 14565 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SQS142ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 70W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm |
auf Bestellung 4488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SQS142ELNW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 70W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm |
auf Bestellung 4488 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SQS142ELNW-T1_GE3 |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 14565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.62 EUR |
| 10+ | 1.23 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 3000+ | 0.76 EUR |
| 6000+ | 0.69 EUR |
| SQS142ELNW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 4488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 78+ | 3.22 EUR |
| 124+ | 1.88 EUR |
| 186+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| SQS142ELNW-T1_GE3 |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
Description: VISHAY - SQS142ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 86 A, 4500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 70W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
auf Bestellung 4488 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.22 EUR |
| 124+ | 1.88 EUR |
| 186+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |