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SQS161ELNW-T1_GE3

SQS161ELNW-T1_GE3 Vishay


Hersteller: Vishay
MOSFETs Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET
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Technische Details SQS161ELNW-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 119W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SQS161ELNW-T1_GE3 SQS161ELNW-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 4419951.pdf Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-SLW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 2500 Stücke:
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SQS161ELNW-T1_GE3 SQS161ELNW-T1_GE3 Hersteller : VISHAY 4419951.pdf Description: VISHAY - SQS161ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 59 A, 0.02 ohm, PowerPAK 1212-SLW, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 119W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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