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SQS174ELNW-T1_GE3

SQS174ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix


Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 72-V (D-S) 175C MOSFET
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Technische Details SQS174ELNW-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 72V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 103W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
SQS174ELNW-T1_GE3 SQS174ELNW-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0023695371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8SLW
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Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
auf Bestellung 1549 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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SQS174ELNW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
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SQS174ELNW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQS174ELNW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 72 V, 87 A, 5500 µohm, PowerPAK 1212-8SLW, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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