SQS486CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.58 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQS486CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQS486CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 62.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQS486CENW-T1_GE3 nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQS486CENW-T1_GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix | MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET |
auf Bestellung 26496 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
SQS486CENW-T1_GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 17918 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
SQS486CENW-T1_GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQS486CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 18 A, 0.0041 ohm, PowerPAK 1212-8W, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 62.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0041ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 5727 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
| SQS486CENW-T1_GE3 | Hersteller : Vishay |
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 1212-8W, 5.1 m @ 10V, 7.3 m @ 4.5V |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||
| SQS486CENW-T1 GE3 | Hersteller : Vishay | MOSFET 40V N-CHANNEL (D-S) |
Produkt ist nicht verfügbar |