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SQSA82CENW-T1_GE3

SQSA82CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqsa82cenw.pdf
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9000 Stücke:
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3000+0.44 EUR
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Technische Details SQSA82CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote SQSA82CENW-T1_GE3 nach Preis ab 0.32 EUR bis 1.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 VISHAY sqsa82cenw.pdf Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.49 EUR
260+0.89 EUR
307+0.7 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
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SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 VISHAY sqsa82cenw.pdf Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
168+1.49 EUR
260+0.89 EUR
307+0.7 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
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SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 Vishay Semiconductors sqsa82cenw.pdf MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 23276 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.8 EUR
10+0.82 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
3000+0.43 EUR
9000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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SQSA82CENW-T1_GE3 SQSA82CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix sqsa82cenw.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.84 EUR
19+1.14 EUR
50+0.84 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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SQSA82CENW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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5000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 168 Stücke
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SQSA82CENW-T1_GE3 sqsa82cenw.pdf
SQSA82CENW-T1_GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQSA82CENW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 16 A, 0.046 ohm, PowerPAK 1212-8W, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 5650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
168+1.49 EUR
260+0.89 EUR
307+0.7 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
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MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
auf Bestellung 23276 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+1.8 EUR
10+0.82 EUR
100+0.73 EUR
500+0.56 EUR
3000+0.43 EUR
9000+0.38 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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SQSA82CENW-T1_GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 9634 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+1.84 EUR
19+1.14 EUR
50+0.84 EUR
100+0.74 EUR
500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH