SQW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 62A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 344 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7379 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.01 EUR |
| 30+ | 15.91 EUR |
| 120+ | 14.4 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SQW61N65EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQW61N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.052 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: TO-247AD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SQW61N65EF-GE3 nach Preis ab 14.43 EUR bis 30.17 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQW61N65EF-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO247 650V 62A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 738 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
 |
SQW61N65EF-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQW61N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.052 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625W Bauform - Transistor: TO-247AD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 267 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| SQW61N65EF-GE3 |
|
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO247 650V 62A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 650V 62A N-CH MOSFET
auf Bestellung 738 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 26.51 EUR |
| 10+ | 16.15 EUR |
| 480+ | 15.4 EUR |
| 960+ | 14.6 EUR |
| SQW61N65EF-GE3 |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SQW61N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.052 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQW61N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 62 A, 0.052 ohm, TO-247AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: TO-247AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 30.17 EUR |
| 11+ | 22.35 EUR |
| 14+ | 15.37 EUR |
| 50+ | 15.05 EUR |
| 100+ | 14.73 EUR |
| 250+ | 14.43 EUR |