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SSM3J112TU,LF(T

SSM3J112TU,LF(T Toshiba

643docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j112tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R
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Technische Details SSM3J112TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SSM3J112TU,LF(T SSM3J112TU,LF(T Hersteller : TOSHIBA 4008593.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: To Be Advised
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SSM3J112TU,LF(T SSM3J112TU,LF(T Hersteller : TOSHIBA 4008593.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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SSM3J112TU,LF(T Hersteller : TOSHIBA Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 1.1A; 800mW; UFM
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: UFM
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 0.8W
On-state resistance: 390mΩ
Drain-source voltage: 30V
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6000+0.1 EUR
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