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SSM3J112TU,LF(T

SSM3J112TU,LF(T Toshiba

643docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3j112tu.jsptypedatasheetlangen.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 1.1A 3-Pin UFM T/R
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Technische Details SSM3J112TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323F, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3J112TU,LF(T SSM3J112TU,LF(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 2670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+0.99 EUR
412+0.56 EUR
650+0.33 EUR
944+0.23 EUR
1500+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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SSM3J112TU,LF(T SSM3J112TU,LF(T TOSHIBA 4008593.pdf Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 2630 Stücke:
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238+1.05 EUR
390+0.6 EUR
614+0.35 EUR
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1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
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SSM3J112TU,LF(T TOSHIBA Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 1.1A; 800mW; UFM
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: UFM
auf Bestellung 9000 Stücke:
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6000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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SSM3J112TU,LF(T
SSM3J112TU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 2670 Stücke:
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253+0.99 EUR
412+0.56 EUR
650+0.33 EUR
944+0.23 EUR
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SSM3J112TU,LF(T 4008593.pdf
SSM3J112TU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J112TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.1 A, 0.39 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
auf Bestellung 2630 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
238+1.05 EUR
390+0.6 EUR
614+0.35 EUR
893+0.24 EUR
1500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 238 Stücke
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SSM3J112TU,LF(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 30V; 1.1A; 800mW; UFM
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: P-MOSFET
Case: UFM
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Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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