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SSM3J15FV,L3F

SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Part Status: Active, Supplier Device Package: VESM, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote SSM3J15FV,L3F nach Preis ab 0.035 EUR bis 0.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
auf Bestellung 29854 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1693+0.1 EUR
1707+0.1 EUR
3068+0.055 EUR
3096+0.054 EUR
6000+0.048 EUR
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SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
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112+0.19 EUR
229+0.092 EUR
500+0.081 EUR
1000+0.068 EUR
2000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
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1693+0.089 EUR
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SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba 9E34200A3B8FA519CACF8DD1FCC6A431ED07DE0B674803B9A140B3B8F0D646BA.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
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1000+0.12 EUR
2500+0.1 EUR
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Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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SSM3J15FV,L3F 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf
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Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
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Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
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