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SSM3J15FV,L3F

SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=593&prodName=SSM3J15FV
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V
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Technische Details SSM3J15FV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 30V 100MA VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA, Supplier Device Package: VESM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9.1 pF @ 3 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
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SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba 55875056231081505587504216090923ssm3j15fv_datasheet_en_20171011.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 0.1A 3-Pin VESM T/R
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 100µA
Supplier Device Package: VESM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
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SSM3J15FV,L3F SSM3J15FV,L3F Toshiba 9E34200A3B8FA519CACF8DD1FCC6A431ED07DE0B674803B9A140B3B8F0D646BA.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
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Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
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