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SSM3J331R,LF

SSM3J331R,LF Toshiba

118772250237084118771894694530ssm3j331r_datasheet_en_20160824.pdf.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
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Technische Details SSM3J331R,LF Toshiba

Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V.

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SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
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SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FB681459136C0C4&compId=SSM3J331R.pdf?ci_sign=1ebc1b7df9a6405d23a8dbf6862f024adeed553f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: -10A
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF Hersteller : TOSHIBA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA8FB681459136C0C4&compId=SSM3J331R.pdf?ci_sign=1ebc1b7df9a6405d23a8dbf6862f024adeed553f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -10A; 2W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: -10A
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SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF Hersteller : Toshiba SSM3J331R_datasheet_en_20240723-1916134.pdf MOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF
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SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J331R_datasheet_en_20160824.pdf?did=13019&prodName=SSM3J331R Description: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
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SSM3J331R,LF SSM3J331R,LF Hersteller : Toshiba 118772250237084118771894694530ssm3j331r_datasheet_en_20160824.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
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