SSM3J332R,LF(T
Produktcode: 170575
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM3J332R,LF(T | TOSHIBA |
 Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23F Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Gate charge: 8.2nC On-state resistance: 144mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 4360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3J332R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
auf Bestellung 14475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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SSM3J332R,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V Verlustleistung: 1W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
auf Bestellung 14475 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
| SSM3J332R,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3J332R,LF(T | Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3J332R,LF(T | Toshiba |
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560, Qg, нКл = 8,2, Rds = 144 мОм, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT23F Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
verfügbar 10 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSM3J332R,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23F
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23F
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 144mΩ
Power dissipation: 1W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 4360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 360+ | 0.24 EUR |
| 585+ | 0.14 EUR |
| 650+ | 0.13 EUR |
| 725+ | 0.12 EUR |
| 3000+ | 0.11 EUR |
| SSM3J332R,LF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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Bauform - Transistor: SOT-23F
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
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| SSM3J332R,LF(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
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Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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isCanonical: N
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Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
auf Bestellung 14475 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| SSM3J332R,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12000+ | 0.29 EUR |
| SSM3J332R,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12000+ | 0.29 EUR |
| SSM3J332R,LF(T |
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Hersteller: Toshiba
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560, Qg, нКл = 8,2, Rds = 144 мОм, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT23F Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560, Qg, нКл = 8,2, Rds = 144 мОм, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT23F Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
verfügbar 10 Stücke: