SSM3J332R,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 6275 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 335+ | 0.21 EUR |
| 540+ | 0.13 EUR |
| 605+ | 0.12 EUR |
| 705+ | 0.10 EUR |
| 740+ | 0.10 EUR |
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Technische Details SSM3J332R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM3J332R,LF(T nach Preis ab 0.10 EUR bis 0.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SSM3J332R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 144mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
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SSM3J332R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 12712 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3J332R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.036 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm SVHC: To Be Advised |
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| SSM3J332R,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
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SSM3J332R,LF(T Produktcode: 170575
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| SSM3J332R,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
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| SSM3J332R,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
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