SSM3J338R,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 1W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 8V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm.