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SSM3J351R,LF

SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
auf Bestellung 60000 Stücke:
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Technische Details SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SSM3J351R,LF SSM3J351R,LF Hersteller : Toshiba SSM3J351R_datasheet_en_20220527-1112766.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
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SSM3J351R,LF SSM3J351R,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=53735&prodName=SSM3J351R Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
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SSM3J351R,LF SSM3J351R,LF Hersteller : Toshiba ssm3j351r_datasheet_en_20220527.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
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SSM3J351R,LF SSM3J351R,LF Hersteller : Toshiba ssm3j351r_datasheet_en_20220527.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R
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