SSM3J356R,LF

SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 69000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.12 EUR
9000+0.10 EUR
21000+0.10 EUR
30000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote SSM3J356R,LF nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.56 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Hersteller : Toshiba SSM3J356R_datasheet_en_20240723-1916485.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
auf Bestellung 108236 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+0.54 EUR
10+0.34 EUR
100+0.23 EUR
500+0.18 EUR
1000+0.15 EUR
3000+0.12 EUR
9000+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 69315 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
32+0.56 EUR
51+0.35 EUR
100+0.24 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 32
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LF
Produktcode: 202544
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH