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SSM3J356R,LF

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Produktcode: 202544
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
998+0.18 EUR
1096+0.15 EUR
1214+0.14 EUR
1363+0.12 EUR
1551+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 998 Stücke
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SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.19 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
15000+0.15 EUR
21000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2503 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
642+0.27 EUR
988+0.17 EUR
1096+0.14 EUR
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1551+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 642 Stücke
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SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Toshiba 3832424344463241323432423337373644373943343836373739363536313530.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
auf Bestellung 62117 Stücke:
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5+0.76 EUR
10+0.46 EUR
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500+0.23 EUR
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3000+0.15 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SSM3J356R,LF SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
auf Bestellung 216203 Stücke:
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24+0.88 EUR
39+0.54 EUR
100+0.35 EUR
500+0.25 EUR
1000+0.23 EUR
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
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Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
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MOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
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SSM3J356R,LF docget.jsp?did=30685&prodName=SSM3J356R
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Description: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
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