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SSM3J358R,LF

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Produktcode: 168844
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3J358R,LF SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55837&prodName=SSM3J358R Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.18 EUR
6000+0.15 EUR
15000+0.14 EUR
21000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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SSM3J358R,LF SSM3J358R,LF Toshiba CDB679BF8C60094ABE9C33E801B96F051D8EC42AE6FFAB3E32A87C12B2744208.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
auf Bestellung 219511 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.73 EUR
10+0.46 EUR
100+0.31 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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SSM3J358R,LF SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=55837&prodName=SSM3J358R Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
auf Bestellung 32559 Stücke:
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25+0.83 EUR
42+0.51 EUR
100+0.32 EUR
500+0.24 EUR
1000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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SSM3J358R,LF Toshiba SSM3J358R_Toshiba.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1331 @ 10, Qg, нКл = 38,5 @ 8 В, Rds = 22,1 мОм @ 6 A, 8 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SSM3J358R,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
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Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
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SSM3J358R,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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