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SSM3J36TU,LF

SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
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Technische Details SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3J36TU,LF SSM3J36TU,LF Toshiba 8BD0F26ECDBB2AE18B78613A211F6A5EAC361AA39DAFC18EE3C32F57DB1AA606.pdf MOSFETs Sm-signal/Hi-Speed UFM (SOT-323F)
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SSM3J36TU,LF SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
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SSM3J36TU,LF Toshiba docget.jsp?did=11658&prodName=SSM3J36TU Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.33A 3-Pin UFM T/R
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SSM3J36TU,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 330MA UFM
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
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