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SSM3K09FU,LF

SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K09FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19599&prodName=SSM3K09FU
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
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Technische Details SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 400MA USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA, Supplier Device Package: USM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K09FU,LF SSM3K09FU,LF Toshiba 7D01739B53BDD915E370F79AB20297B8B32485670F457E18F481E32B348D1D66.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
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SSM3K09FU,LF SSM3K09FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K09FU_datasheet_en_20140301.pdf?did=19599&prodName=SSM3K09FU Description: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
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SSM3K09FU,LF 7D01739B53BDD915E370F79AB20297B8B32485670F457E18F481E32B348D1D66.pdf
SSM3K09FU,LF
Hersteller: Toshiba
MOSFETs Small-signal MOSFET ID 0.4A, VDSS 30V
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SSM3K09FU,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 400MA USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 200MA, 10V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.3V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
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