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SSM3K09FU,LXGF(T

SSM3K09FU,LXGF(T Toshiba

12docget.jsppidssm3k09fulangentypedatasheet.jsppidssm3k09fulangenty.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.4A 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details SSM3K09FU,LXGF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 400mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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SSM3K09FU,LXGF(T SSM3K09FU,LXGF(T Hersteller : TOSHIBA 3622425.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: To Be Advised
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SSM3K09FU,LXGF(T SSM3K09FU,LXGF(T Hersteller : TOSHIBA 3622425.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K09FU,LXGF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 400 mA, 0.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
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SSM3K09FU,LXGF(T Hersteller : TOSHIBA Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 400mA; 150mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT323
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
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Anzahl Preis
3000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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SSM3K09FU,LXGF(T Hersteller : Toshiba 12docget.jsppidssm3k09fulangentypedatasheet.jsppidssm3k09fulangenty.pdf Silicon N Channel MOS Type
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