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SSM3K116TU,LF

SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=6165&prodName=SSM3K116TU
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
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Technische Details SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: UFM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba 378docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k116tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
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Mindestbestellmenge: 463 Stücke
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SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=6165&prodName=SSM3K116TU Description: MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 245 pF @ 10 V
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SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba 3946463045364434323646353831443246394346373834413044343131343946.pdf MOSFETs Small-signal MOSFET High Speed Switching
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SSM3K116TU,LF SSM3K116TU,LF Toshiba 378docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k116tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
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Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
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Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 2.2A 3-Pin UFM T/R
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