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SSM3K123TU,LF(T

SSM3K123TU,LF(T Toshiba

1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
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Technische Details SSM3K123TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 800mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-323F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K123TU,LF(T SSM3K123TU,LF(T Toshiba 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
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SSM3K123TU,LF(T SSM3K123TU,LF(T TOSHIBA 3622426.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
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185+1.36 EUR
252+0.93 EUR
409+0.52 EUR
565+0.38 EUR
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SSM3K123TU,LF(T SSM3K123TU,LF(T TOSHIBA 3622426.pdf Description: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
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Description: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage
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Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: To Be Advised
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-323F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
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