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Technische Details SSM3K123TU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 800mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-323F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM3K123TU,LF(T nach Preis ab 0.43 EUR bis 0.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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SSM3K123TU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R |
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SSM3K123TU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-323F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: To Be Advised |
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SSM3K123TU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K123TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-323F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 800mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-323F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.019ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: To Be Advised |
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