Produkte > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3K123TU,LF
SSM3K123TU,LF

SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=10012&prodName=SSM3K123TU
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
auf Bestellung 13500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
9000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 3000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V.

Weitere Produktangebote SSM3K123TU,LF nach Preis ab 0.14 EUR bis 1.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
543+0.32 EUR
830+0.21 EUR
835+0.2 EUR
900+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 543 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
412+0.43 EUR
533+0.32 EUR
543+0.3 EUR
830+0.19 EUR
835+0.18 EUR
900+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba D41F68FC8AC05E53B249C3227C570C7ED2DFAC75426B5C5CF38910F435EC40B2.pdf MOSFETs UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
auf Bestellung 27008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF SSM3K123TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=10012&prodName=SSM3K123TU Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
auf Bestellung 14918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
50+0.6 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf
SSM3K123TU,LF
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
543+0.32 EUR
830+0.21 EUR
835+0.2 EUR
900+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 543 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF 1559docget.jsptypedatasheetlangenpidssm3k123tu.jsptypedatasheetlangen.pdf
SSM3K123TU,LF
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin UFM T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
412+0.43 EUR
533+0.32 EUR
543+0.3 EUR
830+0.19 EUR
835+0.18 EUR
900+0.17 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF D41F68FC8AC05E53B249C3227C570C7ED2DFAC75426B5C5CF38910F435EC40B2.pdf
SSM3K123TU,LF
Hersteller: Toshiba
MOSFETs UFM S-MOS Pd: 0.8W F: 1MHz
auf Bestellung 27008 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.26 EUR
10+0.77 EUR
100+0.5 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
SSM3K123TU,LF docget.jsp?did=10012&prodName=SSM3K123TU
SSM3K123TU,LF
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 4 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
auf Bestellung 14918 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
50+0.6 EUR
100+0.52 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH