auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10000+ | 0.034 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SSM3K16CT,L3F(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: CST, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM3K16CT,L3F(T nach Preis ab 0.035 EUR bis 0.044 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K16CT,L3F(T | Hersteller : Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R |
auf Bestellung 13990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||
 |
SSM3K16CT,L3F(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: CST Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 31384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
|
|
SSM3K16CT,L3F(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: CST Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 31384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||
| SSM3K16CT,L3F(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 20V; 100mA; 100mW Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.1A Power dissipation: 0.1W Gate-source voltage: 10V On-state resistance: 3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 13990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|