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Technische Details SSM3K16CT,L3F(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, Verlustleistung: 100mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: CST, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Weitere Produktangebote SSM3K16CT,L3F(T nach Preis ab 0.043 EUR bis 0.54 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM3K16CT,L3F(T | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R |
auf Bestellung 13990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K16CT,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: CST Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 31384 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM3K16CT,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: CST Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
auf Bestellung 988 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM3K16CT,L3F(T |
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.1A 3-Pin CST T/R
auf Bestellung 13990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13990+ | 0.043 EUR |
| SSM3K16CT,L3F(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: To Be Advised
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 503+ | 0.5 EUR |
| 848+ | 0.27 EUR |
| 1224+ | 0.18 EUR |
| 2067+ | 0.1 EUR |
| 5000+ | 0.094 EUR |
| SSM3K16CT,L3F(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: TOSHIBA - SSM3K16CT,L3F(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 100 mA, 3 ohm, CST, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: CST
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 466+ | 0.54 EUR |
| 758+ | 0.31 EUR |