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SSM3K318R,LF

SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
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Technische Details SSM3K318R,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V.

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SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Hersteller : Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
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SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Hersteller : Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
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SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K318R_datasheet_en_20160823.pdf?did=29655&prodName=SSM3K318R Description: MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 107mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 30 V
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SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Hersteller : Toshiba SSM3K318R_datasheet_en_20160823-1916422.pdf MOSFET Small Signal Mosfet
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SSM3K318R,LF SSM3K318R,LF Hersteller : Toshiba 124852288570723124851766524945ssm3k318r_datasheet_en_20160823.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 2.5A 3-Pin SOT-23F T/R
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