SSM3K324R,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 4115 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SSM3K324R,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-23F, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote SSM3K324R,LF(T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3K324R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM3K324R,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-23F Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 4115 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 +1 |
SSM3K324R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1W; SOT23F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 109mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
+1 |
SSM3K324R,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1W; SOT23F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 109mΩ Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
Produkt ist nicht verfügbar |