SSM3K339R,LF
Produktcode: 177600
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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SSM3K339R,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V |
auf Bestellung 51000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SSM3K339R,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 4.2 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V |
auf Bestellung 53141 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SSM3K339R,LF | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 2A 3-Pin SOT-23F T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SSM3K339R,LF | Hersteller : Toshiba |
MOSFET N-CH 40V 2A SOT-23F Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM3K339R,LF | Hersteller : Toshiba |
MOSFETs Small Signal MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |