SSM3K339R TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.1nC
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 9051 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 404+ | 0.18 EUR |
| 642+ | 0.11 EUR |
| 715+ | 0.1 EUR |
| 807+ | 0.089 EUR |
| 3000+ | 0.084 EUR |
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Technische Details SSM3K339R TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 2A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23F, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 390mΩ, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 1.1nC, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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SSM3K339R | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 2A Power dissipation: 1W Case: SOT23F Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 390mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 1.1nC |
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| SSM3K339R | Hersteller : Toshiba | MOSFETs |
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