SSM3K339R TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 2A
On-state resistance: 390mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 1.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23F
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 379+ | 0.19 EUR |
| 589+ | 0.12 EUR |
| 667+ | 0.11 EUR |
| 770+ | 0.093 EUR |
| 820+ | 0.087 EUR |
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Technische Details SSM3K339R TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F, Mounting: SMD, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 2A, On-state resistance: 390mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 1.1nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±12V, Case: SOT23F, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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SSM3K339R | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 2A; 1W; SOT23F Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 2A On-state resistance: 390mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 1.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Case: SOT23F |
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| SSM3K339R | Hersteller : Toshiba | MOSFETs |
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