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SSM3K35MFV Toshiba


Hersteller: Toshiba

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Technische Details SSM3K35MFV Toshiba

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723; ESD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 0.18A, Power dissipation: 0.15W, Case: SOT723, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 20Ω, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Version: ESD.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM3K35MFV,L3F(TSSM3K35MFV,L3F(T
SSM3K35MFV,L3F(TSSM3K35MFV,L3F(T
 SSM3K35MFV,L3F(T TOSHIBA SSM3K35MFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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 Mindestbestellmenge: 40000 Stücke
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SSM3K35MFV,L3F(T SSM3K35MFV.pdf
SSM3K35MFV,L3F(TSSM3K35MFV,L3F(T
SSM3K35MFV,L3F(TSSM3K35MFV,L3F(T
Hersteller: TOSHIBA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.18A; 150mW; SOT723; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT723
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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