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SSM6J212FE,LF(CA

SSM6J212FE,LF(CA Toshiba

234docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6j212fe.jsptypedatasheetlangen.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
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Technische Details SSM6J212FE,LF(CA Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0353ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FE,LF(CA Toshiba 234docget.jsptypedatasheetlangenpidssm6j212fe.jsptypedatasheetlangen.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
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SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FE,LF(CA TOSHIBA 3622443.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
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391+0.6 EUR
596+0.36 EUR
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SSM6J212FE,LF(CA SSM6J212FE,LF(CA TOSHIBA 3622443.pdf Description: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 4A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
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Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 20V 4A 6-Pin ES T/R
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J212FE,LF(CA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0353 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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Dauer-Drainstrom Id: 4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0353ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0353ohm
SVHC: To Be Advised
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