SSM6J412TU,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J412TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 210+ | 1.19 EUR |
| 350+ | 0.67 EUR |
| 538+ | 0.39 EUR |
| 730+ | 0.3 EUR |
| 1000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details SSM6J412TU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J412TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6J412TU,LF(T nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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SSM6J412TU,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J412TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-363F Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 2469 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SSM6J412TU,LF(T |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6J412TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
Description: TOSHIBA - SSM6J412TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.0427 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
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Kanaltyp: p-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0427ohm
SVHC: To Be Advised
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 210+ | 1.19 EUR |
| 350+ | 0.67 EUR |
| 538+ | 0.39 EUR |
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