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SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage
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Technische Details SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TOSHIBA - SSM6J502NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0231 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVI Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0231ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6J502NU,LF(T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6J502NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0231 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVI Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0231ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 48 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: uDFN6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Gate charge: 24.8nC On-state resistance: 60.5mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±8V Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6; ESD Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: uDFN6 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Gate charge: 24.8nC On-state resistance: 60.5mΩ Power dissipation: 1W Gate-source voltage: ±8V |
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