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SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage
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Technische Details SSM6J502NU,LF(T Toshiba Semiconductor and Storage
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -20V, Drain current: -6A, Power dissipation: 1W, Case: uDFN6, Gate-source voltage: ±8V, On-state resistance: 60.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 24.8nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SSM6J502NU,LF(T
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 6-Pin UDFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: uDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 60.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SSM6J502NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 1W; uDFN6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Power dissipation: 1W Case: uDFN6 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 60.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 24.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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