SSM6J507NU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM6J507NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm.