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SSM6J507NU,LF

SSM6J507NU,LF Toshiba

docget.pdf Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
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Technische Details SSM6J507NU,LF Toshiba

Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +20V, -25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V.

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SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
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SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Hersteller : Toshiba docget.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
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SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU Description: MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFNB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-UDFNB (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 15 V
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SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Hersteller : Toshiba SSM6J507NU_datasheet_en_20241003-1916441.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET V=30V, I-10A
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SSM6J507NU,LF Hersteller : Toshiba docget.jsp?did=30372&prodName=SSM6J507NU MOSFET P-CH 30V 10A UDFNB-6
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SSM6J507NU,LF SSM6J507NU,LF Hersteller : Toshiba 47037524870889004703751692370259ssm6j507nu_datasheet_en_20151110.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-Pin UDFN-B EP T/R
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