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SSM6K406TU,LF(T

SSM6K406TU,LF(T Toshiba

40ssm6k406tu_en_datasheet_080703.pdf
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.4A 6-Pin UF T/R
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Technische Details SSM6K406TU,LF(T Toshiba

Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-363F, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIV Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM6K406TU,LF(T SSM6K406TU,LF(T Toshiba 40ssm6k406tu_en_datasheet_080703.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.4A 6-Pin UF T/R
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SSM6K406TU,LF(T SSM6K406TU,LF(T TOSHIBA 4163427.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
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SSM6K406TU,LF(T SSM6K406TU,LF(T TOSHIBA 4163427.pdf Description: TOSHIBA - SSM6K406TU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.4 A, 0.025 ohm, SOT-363F, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: To Be Advised
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
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tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363F
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
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