SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6; ESD
Power dissipation: 1.25W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Gate charge: 4.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 18A
Mounting: SMD
Case: uDFN6
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 9A
On-state resistance: 26mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
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Technische Details SSM6K504NU,LF(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-1220, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote SSM6K504NU,LF(T nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SSM6K504NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1.25W; uDFN6; ESD Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Version: ESD Gate charge: 4.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Mounting: SMD Case: uDFN6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 9A On-state resistance: 26mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SSM6K504NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6K504NU,LF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0195 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-1220 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSVII-H Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195ohm SVHC: To Be Advised |
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