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SSM6K809R,LXHF(T

SSM6K809R,LXHF(T TOSHIBA


Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6K809R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: To Be Advised
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Technische Details SSM6K809R,LXHF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - SSM6K809R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.036 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSVII-H Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm, SVHC: To Be Advised.