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SSM6L39TU,LF

SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=11583&prodName=SSM6L39TU
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UF6
Part Status: Active
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Technische Details SSM6L39TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A UF6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 500mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 268pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 143mOhm @ 600MA, 4V, FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UF6, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
SSM6L39TU,LF SSM6L39TU,LF Toshiba DC451C777F56FE462B2E3A3C818E0BE3F635953DEAB55E53D2D0968AD0448319.pdf MOSFETs Small Signal MOSFET
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