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Technische Details SSM6L61NU,LF(T Toshiba
Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: UDFN, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote SSM6L61NU,LF(T
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SSM6L61NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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SSM6L61NU,LF(T | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6L61NU,LF(T - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4 A, 4 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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SSM6L61NU,LF(T | Hersteller : Toshiba | Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 4A 6-Pin UDFN EP T/R |
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