SSM6N15AFE,LM(T TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 0.77 EUR |
| 488+ | 0.48 EUR |
| 782+ | 0.27 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SSM6N15AFE,LM(T TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: U-MOSIII Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SSM6N15AFE,LM(T nach Preis ab 0.27 EUR bis 0.77 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM6N15AFE,LM(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: U-MOSIII Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 150mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 1015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||
 |
SSM6N15AFE,LM(T | Toshiba |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin ES T/R |
auf Bestellung 585 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 416 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| SSM6N15AFE,LM(T |
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - SSM6N15AFE,LM(T - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 100 mA, 3.6 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: U-MOSIII Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 323+ | 0.77 EUR |
| 488+ | 0.48 EUR |
| 782+ | 0.27 EUR |
| SSM6N15AFE,LM(T |
|
Hersteller: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin ES T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 0.1A 6-Pin ES T/R
auf Bestellung 585 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)